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半导体照明灯具系统设计概述

统灯具加上led发光模块的组装方式,充分考虑其光学特性,为led光源专门设计不同的灯具。光学系统设计内容主要包括如下几个方面:① 根据照明对象、光通的需求,决定光学系统的形状、le

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分析el背光驱动工作原理

有体积孝重轻、温度低、耗电少、无闪烁、发光均匀等特性,现已逐渐取代传统的led背光方式。el 背光系统是由el灯片和el驱动器组成。el灯片的厚度一般小于0.2mm,是由绝缘基

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led背光与无彩色滤光片技术

效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度;通过各子像素的光能,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色

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发光二极管封装结构及技术

led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重轻,体积

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sed显示技术

题;(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高;(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电只有同规格的等离子和液晶显示器的一半;(4)由

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led背光与无彩色滤光片技术

效晶体管(field effect transistor,tft)控制该子像素的电场强度,以决定通过该子像素的光强度;通过各子像素的光能,再经由各子像素所对应的原色(红色、绿色

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氮化镓衬底及其生产技术

用的高质的sic衬底的厂家只有美国cree公司。国内外sic衬底今后研发的任务是大幅度降低制造成本和提高晶体结晶质。4)si衬底在硅衬底上制备发光二极管是本领域里梦寐以求的一

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gan外延片的主要生长方法

一定条件下,外延层的生长速度与金属有机源的供应成正比。mocvd及相关设备技术发展现状:mocvd 技术自二十世纪六十年代首先提出以来,经过七十至八十年代的发展,九十年代已经成

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led外延片(衬底材料)介绍

用,在ic中用不大,它需要在单晶si片表面上沉积一薄的单晶si层。一般外延层的厚度为2~20μm,而衬底si厚度为610μm(150mm直径片和725μm(200mm片)。外延沉

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我国半导体照明应用现状

大新兴市常我国已成为手机、电脑与电视生产与消费大国,预计2010年国内笔记本电脑、液晶显示器、液晶电视销分别为1900万台、2500万台、1800万台,对功率型白光led的平均需求

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