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chip led项目负责人朱经理介绍,chip led的抗衰减性能的改善主要基于两个原因:通过pcb线路的重新设计降低产品的热阻;另一方面包含到固晶胶材和封装胶材的改进,除了降
https://www.alighting.cn/news/20111206/114184.htm2011/12/6 9:14:03
外,使led整体热阻降低,散热效率提高,使之更适合大功率的工作状态,并具有高稳定性。使led产品的发光效率更高,白光达到60lm/w以上,产品的热阻小于12k/
https://www.alighting.cn/news/20071008/119275.htm2007/10/8 0:00:00
最近,秦皇岛鹏远光电子科技有限公司推出一款smd新产品。该产品的热阻小于1度/w,是目前热阻最低的led的smd贴片封装,因此,该产品特别适用于单个led芯片的驱动电流大于35
https://www.alighting.cn/news/20090519/119489.htm2009/5/19 0:00:00
碍这一发展的最大敌害是led的热量管理,因此从事热阻、结温、热参数匹配等问题的研究和改进具有深远的意义。 如何降低大功率led的热阻、结温,使pn结产生的热量能尽快的散发出去,不
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00
装在灯具主体上,这样热阻的道数最少,可以取得较好的散热效果。或者在灯具主体上制成敷有铜箔的线路体,其热阻也较低,led照明的功率至少也要几瓦以上,所以都是多芯片使用,以往的封装工艺就
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106989.html2010/10/15 15:48:00
阻。另外,银浆固化后的内部基本结构为:环氧树脂骨架+银粉。这样的结构热阻高且tg低,对器件的散热与物理特性稳定极为不利。我们解决此问题的做法是:用锡片作为芯片与热沉之间的连接材料(
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
而失效。因此,对于大工作电流的大功率led 芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
于银浆的导热系数为10 w·m-1k-1~25w-m-1k-1,较低,就等于在芯片和热沉之间加了一道热阻。另外,银浆固化后的内部基本结构为:环氧树脂骨架+银粉。这样的结构热阻高且t
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
装是一种高密度的多芯片封装),而且最好是led芯片直接封装在灯具主体上,这样热阻的道数最少,可以取得较好的散热效果。或者在灯具主体上制成敷有铜箔的线路体,其热阻也较低,led照明的功
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48