站内搜索
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
分：单晶型、双晶型及三晶型。导通孔型结构pcb板和挖槽孔型结构pcb板区别在于：前者切割时需切割两个方向,单颗成品电极为半弧型；后者切割时只需切割一个方向。选择设计什么样结构的pcb
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229926.html2011/7/17 23:19:00
衬底目前只有两种,即蓝宝石和碳化硅衬底。其它诸如gan、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化镓用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可大大提高外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
为二元素发光管。而目前最新的氧程是用混合铝(al)、钙(ca) 、??(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料氧造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
子计算机、通讯设备和电视机、录放机中得到了应用。开关晶体管、开关二极管和开关变压器是组成开关电源的三个关键元件,减小开关电源的体积和重量就须提高电源的开关频率,大功率,高反压和高速开
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
磊晶技术迅速发展之下,经由选择高纯度的单晶原料,再由适当温度控制及精确地掌握各组成元素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
需的流明量需超过上千流明或上万流明,单靠单晶粒封装模块显然不足以应付,走向多芯片led封装,及芯片直接黏着基板已是未来发展趋势。在led实际产品应用上,不论用于显示器背光源、指示灯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00
