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日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(gan)单晶薄膜的gan模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
本报告该部分的内容先对led外延和芯片做一个简单的技术介绍，按照不同技术对led外延和芯片技术做了详细分类，并通过定性、定量以及趋势图表的分析方法对led外延和芯片方面的相关专
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125628.htm2013/5/8 17:04:39
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
至830万美元，并低于去年同期的1,021万美元;毛利率面临压力，主因6吋蓝宝石外延片销售萎缩令产能利用率下滑;每股稀释亏损达0.15美元，与去年同期相同，但不如前季的每股稀释亏损
https://www.alighting.cn/news/20130508/112167.htm2013/5/8 10:57:50
led照明灯具的价格战时日趋激烈，相信价格问题是也是老板们每日所关注的课题，以下就其芯片、散热、电源、配件等方面做简要分析：首先led芯片随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工
http://blog.alighting.cn/prslighting/archive/2013/5/7/316695.html2013/5/7 14:08:34
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分析了光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
个载体晶圆上，而一两年前大多数cree的高功率led都采用此设计结构。 cree最新的xlamp高亮度led的xb-d产品线在2012年1月推出，重新回归先前产品的简单方法--覆
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
、大连、深圳、中山、芜湖、蚌埠、扬州等地建立了led生产和科研基地，涉足led外延片、芯片、封装、应用等全产业链，成为国内最具规模和技术领先的led企业。金州新区与德豪集团的合作由
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316602.html2013/5/6 10:25:47
求，蓝光led芯片中的倒装芯片、高压芯片、硅基芯片等都是未来的主要发展趋势。这些芯片的使用皆能提高led灯具的性能。其中，硅基led芯片由于可以在6寸或者8寸的硅衬底上进行外延生长，可
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/4/316490.html2013/5/4 10:16:59
