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日本新推出表面封装的紫外线led灯的角度为120度。外形尺寸为4.2mm×4.2mm×1.3mm。工作温度范围为-30～+80℃。将于2008年12月开始样品供货。
https://www.alighting.cn/news/20081027/V17682.htm2008/10/27 10:13:59
板工作时温度、光效和电流的关系，并与铝基覆铜板作为封装基板时进行了比
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125920.htm2013/3/11 10:11:24
灯亮度的调整和环境温度、电压的监控功能。使用pt4115作为驱动芯片，能耗低，达到了节能减排的效
https://www.alighting.cn/2013/3/5 13:23:31
荧光粉远离led芯片的设计，使led芯片和荧光粉两个热源有效分离，避免了热叠加，改善了led晶元和荧光粉的散热环境，从而降低led灯具各部件(主要是led芯片和荧光粉)的工作温
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125960.htm2013/3/5 11:03:16
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
过去几年，led技术取得了很大进步。在散热、封装和工艺方面的改进获得了更高的亮度、更高的效率、更长的寿命和更低的成本。与白炽灯不同，led没有会烧坏的灯丝，而且工作时往往温度较
https://www.alighting.cn/resource/20130105/126207.htm2013/1/5 12:02:54
统兼有时间日历、温度检测、液晶显示、声光闹钟等多项功
https://www.alighting.cn/resource/20120917/126399.htm2012/9/17 11:38:20
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
虑了ledi芯片在工作中随温度上升而产生发光衰减、输出波长漂移、流明衰减等实际问题，并作出相应的补偿。实现了一定程度上的灰度调
https://www.alighting.cn/resource/20120813/126468.htm2012/8/13 16:28:25
led的性能和寿命与led的pn结工作温度紧密相关。当led芯片内结温升高10℃时，光通量就会衰减1%，led的寿命就减少50%，过流、过压和过热都会显着地减少led的发光性
https://www.alighting.cn/2012/3/29 11:36:18
