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报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
位。基于科锐c2m?大尺寸sic芯片技术，这一新款半桥式模块能够实现令人称赞的8m?导通电阻以及比现有si集模块技术高10倍的开关效率，从而使得能够替代额定400a甚至更高的si
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
近年来，随着led产业的发展，氮化镓的消费也不断增加。氮化镓的消费在金属镓的最终消费中占据越来越重要的位置。
https://www.alighting.cn/news/20141011/n305966294.htm2014/10/11 14:53:25
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的gan基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
了一个瓶颈期，科锐光电也将碳化硅从6寸往8寸、12寸做，因为大尺寸做出来的重复性、均匀性都会更好。但从技术上说，蓝宝石从6寸转向8寸，是有难度的。因此，如何将更大尺寸的外延片放
http://blog.alighting.cn/cat/archive/2014/10/9/358737.html2014/10/9 15:09:25
