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金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267907.html2012/3/15 21:04:49
、红外和可见光谱，从而形成一个实用的发光元件。目前可见光(380一 78 0N m)的led产量以90%的优势占主导地位。le d 以 体积小(最小仅几毫米)、寿命长(几万小时)
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
四通道电流源 lsm 350 是 iNstrumeNt systems专门为 led 及 led 芯片产品生产线测试而研发的。lsm 350具有测量速度极高并支援多通道的特
https://www.alighting.cn/pingce/20120315/122430.htm2012/3/15 10:49:40
误是把led的全部功率当成是其耗散功率pd。例如，一个1w的led，其正向电压是3.3v，正向电流是350ma。于是就把这二者的乘积1.155瓦作为其耗散功率。这是错误的。因为这
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267559.html2012/3/12 19:18:18
下： 例如，在一个输入为24v的led灯具中，采用了8颗1w的大功率led串联起来。在正向电流为350ma时，每个led的正向电压是3.3v，那么8颗串联就是26.4v，因此负
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/3/12/267517.html2012/3/12 11:31:28
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用N阱和p衬底结,N阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipN结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267448.html2012/3/10 10:15:47
穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“p-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子
http://blog.alighting.cn/121954/archive/2012/3/6/267177.html2012/3/6 14:32:39
首尔塔位于韩国首尔特别市龙山区的南山，前称首尔塔或汉城塔，高236.7米，建于1975年，是韩国著名的观光点。 N首尔塔的N既是南山（NamsaN）的第一个字母，又有全新（Ne
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2012/2/25/264830.html2012/2/25 10:04:38
计133900.00 二、电气部分1开关电源350w个16265.00 4,240.00 2总电线xjv-r4x6m20028.00 5,600.00 4电线xjv-r2x2.5
http://blog.alighting.cn/yakeys/archive/2012/2/25/264828.html2012/2/25 9:51:27
