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法国lucibel照明赞助“Light the way”晚宴

香港一年一度的设计大使慈善筹款晚宴于2011年11月4日在尖沙咀的唯港荟酒店举行。法国lucibel照明公司是本次主题为“Light the way”的晚宴主要赞助商之一。

  https://www.alighting.cn/news/20111114/n647735703.htm2011/11/14 11:37:04

最新一代led灯具散热结构及原理解析

发光二极管(Light emittin diode,led)作为新一代固态光源,具有寿命长、高效节能、绿色环保等众多优点,被广泛地应用到显示!照明领域中随着科技发展,先进技术不断

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251553.html2011/11/11 17:24:07

led光源相关色温计算新方法

分别讨论了直接内插法,曲线拟合法和逐点法3种计算led光源相关色温的经典方法,并在此基础上提出了等间隔法新方法.用matlab软件编程实现上述几种算法,并通过以上各种方法的运算速度

  https://www.alighting.cn/2011/11/10 17:51:21

盘点led照明领域五大专家-新世纪led网

7微米波段的近红外光谱仪等八项专利。发表了《照明自动控制技术》,Light sources 2007 muqing liu, bifeng rong,huub w. m

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/11/8/251040.html2011/11/8 21:13:43

新型led灯的节能效果在电荒危机中脱颖而出

今年我国电力供应形势严峻,节约电力,合理利用能源,不光是企事业单位的当务之急,也是普通百姓需要关注的焦点。最近,一种新型的半导体照明灯俗称led(Light emittin

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/11/7/250852.html2011/11/7 17:13:09

Si基光发射材料的探索

由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

Si基zno/ga_2o_3氨化反应制备gan薄膜

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

Si基ceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

Si衬底上inp纳米线的晶体结构和光学性质

采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05

Si衬底gan基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

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