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7微米波段的近红外光谱仪等八项专利。发表了《照明自动控制技术》,Light sources 2007 muqing liu, bifeng rong,huub w. m
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/11/8/251040.html2011/11/8 21:13:43
今年我国电力供应形势严峻，节约电力，合理利用能源，不光是企事业单位的当务之急，也是普通百姓需要关注的焦点。最近，一种新型的半导体照明灯俗称led(Light emittin
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2011/11/7/250852.html2011/11/7 17:13:09
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向小
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道Si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
e of creating Light art works, 4th Lightingconference of china, japan and korea, 2011.9.22-2
http://blog.alighting.cn/1266/archive/2011/10/22/247983.html2011/10/22 13:57:51
