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上下齐心再创高新辉煌 抓住机遇引领长吉图发展

以企业援助中心为纽带搭建了政务、金融、技术、人才等八大服务平台,逐步实现由侧重企业审批类服务向侧重企业生产性服务转变,两年来为企业兑现政策资金6.3亿元。在吉林省政行风评议活动

  http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235674.html2011/9/6 19:59:17

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led光源介绍

前国际上出现大晶片led,晶片面积40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56

led光源介绍

前国际上出现大晶片led,晶片面积40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41

led光源介绍

前国际上出现大晶片led,晶片面积40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led光源介绍

前国际上出现大晶片led,晶片面积40mil。其发光过程包括三部分:正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输。微小的半导体晶片被封装在洁净的环氧树脂物中,当电子经过该晶片时,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

谁能点亮led民用市场?

从刚刚结束的全球最大照明展第十六届广州国际照明展览会的统计数据就可以看出led产业的热度:led展共占据12个馆,展出规模12万平方米,占整个展览面积的一半;led参展厂商超

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263593.html2012/2/4 14:47:45

led芯片的技术发展状况

光损耗、芯片特性大幅度改善,发光效率100流明/瓦(100 ma,610 nm),外量子效率更到55%(650 nm),而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉,改善了散热特

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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