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球温度比对。 b.焊线最佳参数比对。c.焊线弧高及弧度之范围,做弧高量测。 d.金线拉力试验。 e.晶球推力试验。 f.焊线能力评估。 注:以上项目评估时,需与现用品(同级品)同
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
p荧光材料用量为10吨，全世界的pdp荧光材料用量为20吨。预计到2005年底，全世界pdp年产量将大大超过500万台。所有迹象表明pdp产业有极大的市场潜力，pdp用荧光粉的市
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
tps7510x 线性低压降 (ldo) 匹配 led 电流源专门针对低功耗小键盘与导航台 led 背景照明应用而设计。该器件可为多达四个非匹配 led（两个 led 为一组，
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
机金属和ⅴ族的nh3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。mocvd外延炉是制作led外延片最常
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心，组装完毕需在灯具散热模块外面，加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去，造成散热不良导致led磊晶光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
作开发；金属材料也是由材料所研发，另外目前全球拥有低温晶矽tft技术的公司不多，而台湾工研院电子所即是其中之一，对台湾在oled的发展上也提供了不少的助力，因此台湾未来在oled产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
d芯片[/url]碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490w/(m·k)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体，并且在制作器件时底部需要使用银胶固晶，这种银
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。 倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
