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统的可靠性。另一方面,省下彩色滤光片,在制程上除节省原料成本(约占面板15%左右)外,实质上还省略滤光片涂布、制作之工序、减少工时及提升良率；更可以免去配套建设cf厂房设备的大笔投
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常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的MOCVD设
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品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用MOCVD和hvpe两台设备分开进行的。即先用MOCVD生长0.1～1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原
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外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称MOCVD)技术生长iii-
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通领域面向社会公众服务的重要内容,各类信息显示设备成为机尝火车站、码头、公交车站、高速公路、城市道路、停车场等发布信息的主导手段。led显示屏以其高亮度、高可靠性等优点成为主要显示产
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从led工作原理可知,晶圆材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于晶圆材料。晶圆技术与设备是 晶圆制造技术的关键所在,金属有机物化
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0世纪70年代,由于led器件在家庭与办公设备中的大量应用,led的价格直线下跌。事实上,led是那个时代主打的数字与文字显示技术。然而在许多商用设备中,led显示屏也逐渐受到了来
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度和气氛中易分解和腐蚀。目前,zno半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件,主要是材料质量达不到器件水平和p型掺杂问题没有得到真正解决,适合zno基半导体材料生长的设备尚
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器,采用脉冲调制技术的直流一直流变换器型稳压电源,通常称为开关电源。它具有管耗小、效率高、稳压范围宽及体积小、重量轻等特点, 目前已在各种电子仪器和设备、航空和宇宙飞行器、发射机、电
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一方面,在下一代照明设备与区域网路光通讯应用慢慢成形之际,led势必将会散发出更?橐?眼光芒与前景；这是因?樵谟胍话惴⑷任偎康婆莼蛘呤撬?银 日光灯相较之下,led光源具有较高发
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