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光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
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只led管子配光分布控制十分重要。由于led发出的光束集中,更易于控制,且不需要反射器聚光,有利于减少灯具的深度。例如,利用平面镜光学系统,可以只用1～2个led就可照亮很大的表
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随着高科技产品的民用化普及,从前仅在飞行器的驾驶座舱内使用的场致发光技术现已广泛运用于民用手持设备上,在手机、传呼机、无绳电话、个人数字助 理、遥控器等产品上,由于el背光方式具
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当前平面显示器产业蓬勃发展,显示技术日新月异,液晶显示器(liquid crystal display,lcd)以量产规模而论,稳居平面显示器技术主流地位,然而,其它显示技术,诸
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sed的构造及其优势sed的全称是“surface-conduction electron-emitter display”,译成中文就是“表面传导电子发射显示器”。下图是se
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薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
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期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
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积既可(同时)一次加工多片,也可加工单片。单片反应器可生产出质量最好的外延层(厚度、电阻率均匀性好、缺陷少)；这种外延片用于150mm“前沿”产品和所有重要200 mm产品的生
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