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得高多的亮度,但因过大的面积,在应用过程和结果上也会出现适得其反的现象。所以,针对这样的问题,部分leD业者就根据电极构造的改良,和覆晶的构造,在晶片表面进行改良,来达到50lm/
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片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统leD的1/6左右,封装后的leD施加2w的电力时,leD晶片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到500c,接合温度顶
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以到100lm/w,绿色leD也可达到 50lm/w,单个leD的光通量可达到几十流明。尤其是近年来高光效、高亮度的白光leD的开发成功,使得leD在照明领域的应用成为可能。自爱迪生
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光源,颇有逐步取代ccfl背光源的架势。主要是leD在色彩、亮度、寿命、耗电度及环保诉求等均比传统冷阴极管(ccfl)更具优势,因而吸引业者积极投入。早期单芯片le D的功率不
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%。3.适用性：很小,每个单元leD小片是3-5mm的正方形,所以可以制备成各种形状的器件,并且适合于易变的环境。4.稳定性：10万小时,光衰为初始的50%。5. 响应时间：其白炽
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光按照需要的组合进行发光。 a、b、c三端上的电平可以采用普通开关 进行控制,也可以使用3只D触发器和一只按键来实现循环变换。当然还可以把6只leD串联起来工作,用专门的彩灯控
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引 言 随着leD 的生产成本下降,其使用愈发普遍,所涵盖的应用范围从手持终端设备到车载,再到建筑照明 。leD的高可靠性(使用寿命超过50,000个小时)、较高的效率( 12
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构。这使得它还能用于电流小于1.2a的应用。对于电流小于1.2a的应用,还可采用ncp1215 mosfet来构成降压转换器。对于电流小于500ma以及输入电压接近输出电压的应用而
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列LX3-pw71。 首先运用图2的电路来验证leD的电子特性。要得到电压-电流特性,需要进行直流解析。 图2 验证电压-电流特性电路 解析结果如图3所示 图3 根
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路,如图1所示。max682～max684能够将2.7v的输入电压转换为5.05v输出,输出电流能够分别达到250ma、100ma、50ma。利用max684的关断控制引脚或ma
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