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常用元器件的识别

法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uf/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 u

  http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111438.html2010/11/2 9:57:00

电解电容器的参数、影响因素及互相间的关系

μf;k值一般为0.05~0.002μa/ V·μf; cr——标称电容量,μf; ur——额定电压,V。 影响铝电解电容器漏电流的因素是较多的,主要有:1.1 杂质含量 电容器

  http://blog.alighting.cn/zhangshen2010/archive/2010/11/2/111464.html2010/11/2 11:47:00

lEd护栏管lEd数码管安装方法

条220V主电源上,然后采用一个空气开关和时间开关;  控制lEd数码管(lEd护栏灯)统一通电;然后将主控器上的插头插在220V的电源上。  第六步:系统调试  控制器和lEd数码

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114803.html2010/11/17 22:34:00

内置电源lEd日光灯的缺点和问题

指在lEd负载端和220V输入端有直接连接,因此触摸负载就有触电的危险。220V和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离,通常不容易通过cE和ul认证。 图2. 隔离式lEd日光灯电

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114856.html2010/11/18 0:25:00

lEd路灯如何适应寒地应用环境

倍),也会造成低温无法正常启动。   上述问题的解决途径主要是从选择温度特性更好的器件入手。例如,不是所有的电解电容都无法在低温下工作,一般来讲,200V以上的电解电容耐低温特性较

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/12/8/118984.html2010/12/8 13:38:00

三种lEd衬底材料的比较

触)和 V接触(VErtical-contact,垂直接触),以下简称为l型电极和V型电极。通过这两种接触方式,lEd芯片内部的电流可以是横向流动的,也可以是纵向流动的。由于电流可以纵

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

再谈发展我国ingaalp红光lEd的问题

d指示灯  上一世纪60年代初期用化合物半导体制成lEd的问世,使晶体管电子仪器、电气设备中白炽指示灯泡开始被红色、黄色、黄绿色的lEd灯所取代。白炽指示灯泡的功耗一般为6.3V×

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00

lEd在温室补光中的应用

显着优点:   直流低压供电。小功率彩色lEd的正向电压通常为1.5V~2.8V,大功率lEd的正向电压通常为3V~4V,远小于安全电压。   节能。钠灯和金属卤化物灯是气体放

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00

硅衬底lEd芯片主要制造工艺

n膜出现龟裂,晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底lEd还可能因为si与gan之间有0.5 V的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低,导

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

lEd知识概述

4V,发出的光线为红外光谱。另一种常用的lEd材料为磷(p)化镓(ga),其正向pn结压降为2.261V,发出的光线为绿光。 基于这两种材料,早期lEd工业运用gaas1-xpx

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00

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