站内搜索
热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；甚至设计二次散热装置，来降
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
查的先进设备，可以帮助我们严格地控制原物料。我们全彩屏led产品上，都是使用具有高导热、导电性能的优质铜支架，这样可以大大地降低led的热阻。另外，我们对支架的镀层也作了特别规定，以保
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230145.html2011/7/19 0:09:00
热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结构,加速散热；甚至设计二次散热装
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
资。蓝宝石的导热性能不是很好(在100℃约为25w/(m?;k))。因此在使用led器件时,会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件,导热性能是一个非常重要的考虑因素。为了克服以
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
而失效。因此,对于大工作电流的大功率led 芯片,低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是技术关键。采用低电阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉,并采用半包封结
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
底,如图5 所示,铝层导热好,中央发光区
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
多功率型led的驱 动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片 倒装结构,选用导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
层形成压应力因而不会龟裂。但是,差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足,却在功率型器件大电流工作下问题十分突出。国内外al2o3衬底今后的研发任务是生长大直径的al2o3单
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
