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led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新材料。在短短数年内，借助于包括芯片结构、表面粗化处理和多量子
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/13/15102_42.htm2012/3/13 15:10:02
密西根研究团队11月发表最新研究，发现将化学元素硼(boron)加入氮化铟镓 (inGaN) 材料可以让led半导体的中间层(middle layer)厚度变大，解决发光效率随
https://www.alighting.cn/pingce/20171128/153901.htm2017/11/28 9:48:13
veeco公司(veeco)今日宣布，韩国的led –it 融合技术研发中心(liftrc)近日选择了turbodisc? k465i?氮化镓金属有机化学气相沉积系统(mocv
https://www.alighting.cn/news/2012416/n168738871.htm2012/4/16 9:17:37
日前，美国佐治亚理工学院的研究人员利用氧化锌纳米线大幅提升了氮化镓发光二极管(led)将电流转化为紫外线的效能。这个装置被认为是首个通过压电—光电效应在压电材料中产生电荷，从而
https://www.alighting.cn/news/20111116/n786235766.htm2011/11/16 9:52:06
随着新型高功率激光二极管pl tb450 的推出，欧司朗光电半导体巩固了其在氮化铟镓 (indium-gallium-nitride) 激光器领域的主导地位。新款蓝光激光二极管采
https://www.alighting.cn/news/2012425/n426739179.htm2012/4/25 13:37:10
10日从南昌高新区获悉，晶能光电公司日前宣布，该公司硅基氮化镓led技术取得重大突破，开发出用于智能手机的高性能硅基led闪光灯产品，并刚完成新一轮融资计划筹得8000万美元，计
https://www.alighting.cn/news/2014711/n753963675.htm2014/7/11 17:44:18
由青岛杰生电气有限公司承担的国家"863"半导体照明工程重点项目"氮化镓-mocvd深紫外led材料生长设备"制造取得重大突破,研制成功了我国首台具有自主知识产权的、能够同时生长
https://www.alighting.cn/news/200847/V15016.htm2008/4/7 10:14:29
今年2月份，利音公司与芜湖高新技术产业开发区管委会达成合作协议，计划在5年内总投入60亿元，规划建设20万平方米厂房，引进100台以上的mocvd设备和配套生产线，量产氮化镓高亮
https://www.alighting.cn/news/2011612/n872632559.htm2011/6/12 15:51:47
2月22日，工业和信息化部在其网站发布了《新材料产业“十二五”发展规划》(以下简称《规划》)。led相关砷化镓单晶材料、蓝宝石材料、碳化硅晶片、氮化镓外延片入选新材料“十二五”重
https://www.alighting.cn/news/2012223/n888337711.htm2012/2/23 10:45:23
欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此，芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓 (inGaN) 芯片搭载 ux:3 芯片技术，是蓝/白光 le
https://www.alighting.cn/news/20150325/83777.htm2015/3/25 10:26:24
