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采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
“2011年第四届led驱动技术研讨会”是由亚太区知名的资讯传播机构大比特资讯主办，旨在满足led行业工程师对技术资讯和经验交流互动的需求，会议将于10月20日—21日在深圳马哥孛
https://www.alighting.cn/news/20110916/108971.htm2011/9/16 20:44:11
三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(gan)基板。
https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19
gan（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用gan功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货gan类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(gan)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
由于iii族氮化物的p型掺杂受限于mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在p型区域中产生，这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;led器件的散热途径主要是热传导和
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
虽然第3季市况疲软，但因业界库存水准处于低档，配合第4季大陆十一长假、欧美感恩节、圣诞节及2012年初的华人农历新年等传统采购旺季来临，预期第4季半导体需求应可显著回升，不排除出现
https://www.alighting.cn/news/20110902/90004.htm2011/9/2 10:54:15
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
