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led的封装 led的封装。使用环氧树脂，大量资料 半导体封装业占据了国内集成电路产业的主体地位，如何选择电子封装材料的问题显得更加重要。根据资料显示，90％以上的晶体管及7
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/23/45349.html2010/5/23 13:12:00
速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。 4、晶体成长(body growth) 利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径，所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
而led则没有这些问题，是一种无污染的光源。 二、控制电路主要功能和结构 控制电路要实现的主要功能是：第一通过控制，实现能量的传递，要求保证两个晶体管的驱动脉冲宽度要高等，使正
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/106922.html2010/10/15 15:14:00
错密度，改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan，再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成gan视窗和掩膜层
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
n膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度；另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5 v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
d阳极流向阴极，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，电流越强，发光越强。led发光原理不同于传统uhe、uhp灯泡，它在发光过程中不会产生大量热量，因此寿命都可以达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126877.html2011/1/11 0:28:00
膜出现龟裂，晶格常数差会在gan外延层中造成高的位错密度;另外si衬底led还可能因为si与gan之间有0.5v的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成p型掺杂效率低，导致串
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
知，假设环境温度也确定，根据壳 温即等于环境温度，那么此时允许的p也就随之确定。 2、小功率半导体器件，比如小晶体管，ic，一般使用时是不带散热器的。所以这时就要考虑器件壳体到空
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
2b所示。 2、采用线性电流源 加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为350毫安。不幸的是，总体效率和r的功率损耗问题依旧。 3、采用低端开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
