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极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
N缓冲层→生长N型gaN→生长iNgaN/gaN多量子阱发光层→生长p型aigaN层→生长p型gaN层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作N型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
组成，一部分是p型[1]半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“p-N结”.当电流通过导线作用于这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
d驱动ic的输出电压是vf x N或vf x 1, if恒流在15-1400ma。led灯具使用的led光源有小功率(if=15-20ma)和大功率(if200ma))二种，小功
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120761.html2010/12/14 14:47:00
、deNso ch-704；电池：deNso bt-50l、deNso b-65N、deNso bt-20lb、deNso scbht-500、deNso whbht-500、deNs
http://blog.alighting.cn/gzmilliontech/archive/2010/12/14/120730.html2010/12/14 11:52:00
务。 新型led的最大特点是：它们由单一成分氮化镓构成。每个led包含p型氮化镓薄膜和其上的N型纳米线。因此，由相同成分形成的p-N结相比成分不同的拥有更高的效率，而且耗电量更
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00
定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
构设计缓冲层生长N型gaN层生长多量子阱发光层生长p型gaN层生长退火检测（光萤光、x射线）外延片片外延片设计、加工掩模版光刻离子刻蚀N型电极（镀膜、退火、刻蚀）p型电极（镀膜、退
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
合物 ，主要是三芳胺衍生物。tpd：N，N′-双（3-甲基苯基）-N，N′-二苯基-1，1′-二苯基-4，4′-二胺Npd: N，N′-双（1-奈基）-N，N′-二苯基-1，1′
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
