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图形化衬底led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

led蓝宝石基板

蓝宝石(al2o3,英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质,GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi

  https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22

全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率

为了提高GaN基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05

2013年到2017年将是led照明的“黄金时代”

使成本削减75%,这是由于硅价的下降,也是由于采用更大尺寸(8英寸)的平台可以利用那些已经转移到12英寸硅片生产的废弃晶圆厂。  van den bussche继续补充道,普瑞光

  http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11

高亮度led制程发展趋势和高效率化技术

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led

  https://www.alighting.cn/resource/2007419/V12506.htm2007/4/19 14:00:24

高亮度led照明领域上的发展趋势(图)

随著led性能持续地提高,应用市场也随之急速扩大,隐藏在背后的原因是使用GaN、allngap发光材料的高辉度led。

  https://www.alighting.cn/resource/20071211/V13119.htm2007/12/11 9:22:20

俄罗斯出台照明计划建led芯片生产体系

一份有关俄罗斯照明计划的文件最近签署,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体系。

  https://www.alighting.cn/news/20081217/V18290.htm2008/12/17 8:51:52

风云再起 日亚化学再次起诉首尔半导体

日亚化学工业与韩国首尔半导体在白色led等GaN类发光元件的官司之上又加上了新的纷争。

  https://www.alighting.cn/news/2008922/V17377.htm2008/9/22 11:00:08

英国启动新计划将固态led光源商业化

2007年7月26日,英国商业、企业和改革部(dberr)已发起名为 novelels的计划,致力于开发新型GaN芯片技术,将

  https://www.alighting.cn/news/2007810/V8222.htm2007/8/10 10:13:49

当前制造白光led的主流方法是什么?

led实现白光的方法有多种,其中技术相对简单的主流方法是在GaN基蓝光led芯片上涂一层黄色荧光粉。

  https://www.alighting.cn/news/200779/V8101.htm2007/7/9 15:05:20

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