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ucsb利用氨热法试制出GaN结晶

美国加州大学圣芭芭拉分校(ucsb)利用氨热法试制出了GaN结晶,并在2007年9月16~21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布(演讲序号:mp112)。氨热法应

  https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00

GaN类蓝色led的相关专利诉讼不断

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/news/20100820/103438.htm2010/8/20 14:00:24

GaN类蓝色led的相关专利诉讼不断

围绕GaN类蓝色led的相关专利,大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼,为了与之对抗,丰田合成也起诉了日

  https://www.alighting.cn/news/20100820/116138.htm2010/8/20 11:14:13

华灿光电订购反应室生产高亮GaN led

汉的新厂房里,用于生产高亮(hb)GaN le

  https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00

松下发布10000v崩溃电压下的GaN功率管

本周,电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm),会上,来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管,其崩溃电压超

  https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00

俄罗斯政府为GaN led照明注资6300万

署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体

  https://www.alighting.cn/news/20081216/121241.htm2008/12/16 0:00:00

【科普】第三代半导体sic技术的崛起

第一代半导体材料si点燃了信息产业发展的“星星之火”,而si材料芯片也成就了“美国硅谷”高科技产业群,促使英特尔等世界半导体巨头的诞生,95%以上的半导体器件和99%以上的集成电

  https://www.alighting.cn/news/20150107/97170.htm2015/1/7 9:33:17

功率型白光led光学特性退化分析

GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led),对其施加900ma的电流应力,在老化过程中测量白光led的主要光学参数,考察其光学特

  https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30

高亮度led的发展及应用

源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led,GaN基蓝、绿、紫和紫外线le

  https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03

2012年mocvd出货量将下降至342套

市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套,下降幅度达48%。当前正处谷底,预计今年二季度中后期会有缓慢的回升,该预测是基于

  https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55

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