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[值得参考]大功率LED应用注意事项

大功率LED产品及器件在应用过程中,散热、静电防护、焊接对其特性有着很大影响,需要引起应用端客户的高度重视。

  https://www.alighting.cn/news/2010315/V23093.htm2010/3/15 9:02:48

LED将在2020年完全占据日本照明市场

最近日本政府修订了“能源基本计划”,期望在2020年,市面上销售的照明器件100%为以LED照明为代表的次时代高效照明。

  https://www.alighting.cn/news/20100906/91915.htm2010/9/6 10:02:36

2019年LED行业现状总结与2020展望

本文从LED上游芯片与封装器件的角度出发,来谈谈几个现状及后续的展望,如有谬误不当之处,请多多担待并不吝赐教。

  https://www.alighting.cn/news/20200107/166046.htm2020/1/7 11:23:15

LED的散热

LED的散热现在越来越为人们所重视,这是因为LED的光衰或其寿命是直接和其结温有关,散热不好结温就高,寿命就短,依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2倍。从cree公司发

  https://www.alighting.cn/resource/20110503/127674.htm2011/5/3 15:44:42

国内LED标准重复矛盾 LED发展需统一标准

LED技术的发展促进了应用的不断拓展,应用需求的增长刺激了产业的扩张。为了满足应用需求,除了解决技术问题外,还需要针对种类繁多、应用广泛的LED及其各类应用产品解决标准问题。

  https://www.alighting.cn/news/20110613/90745.htm2011/6/13 16:21:32

gan衬底技术的新进展及应用

以gan为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38

tdi用hvpe法制造出高品质ingan

2007年8月30日,美国马里兰州西尔弗斯普林的technology and devices international(tdi)公司已通过hvpe法生长出具有器件级品

  https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00

gan同质衬底应用前景广阔技术有待提高

以gan为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色LED,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

cree全面向4英寸芯片升级

6月15日消息,cree表示在2009年已经开始生产四英寸的外延片,该公司的北卡罗来纳州工厂同时生产碳化硅微电子器件LED照明灯具,其第三财季的净收入比去年同期增长5%,达到1

  https://www.alighting.cn/news/20090616/119675.htm2009/6/16 0:00:00

我国生产LED面板灯要研究的三大必备因素

时也有热量伴随, LED是温度敏感器件,当温度上升时,其效率急剧下降,所以系统结构设计及散热技术开发也是LED应用需面对的课题。  由于强制空气冷却通常在光源中是不可取的,所以随

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/7/26/283456.html2012/7/26 15:13:09

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