站内搜索
力的企业在上游的外延片、芯片领域进行突破，从而带动广东LED产业实现高端突破。总体来看，广东LED产业正处于蓬勃发展阶段，并初步形成了较为完善的产业生态链。不过，业内专家也指出，广
http://blog.alighting.cn/cngeiao/archive/2012/5/20/275003.html2012/5/20 20:18:38
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279416.html2012/6/20 23:04:20
http://blog.alighting.cn/niolighting/archive/2012/6/29/280483.html2012/6/29 20:52:18
http://blog.alighting.cn/143797/archive/2012/7/14/281820.html2012/7/14 8:44:23
http://blog.alighting.cn/131218/archive/2012/7/23/283130.html2012/7/23 22:25:16
上舞台，倒装焊覆晶(flip chip)制程与单电极垂直制程的发光二极管于是取代传统的制程成为LED发光二级管的主流，大功率芯片外延的结构与传统的发光二极管结构相同，但芯片制作工艺
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,单脉
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性质。
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
mocvd是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代mocvd 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
