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d设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售,以后将会生产更大规模的设备,不过这些设备一般只能生产中低档产品；研制有自己特色的专用mocvd设备。这些设备一般只
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机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成
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放接地点20m范围内都会有"跨步电压"产生,即在此范围内不再是理想零电位。另外,三相供电的零线由于不可能绝对平衡而也会有不平衡电流产生并流入零线的接地点,故防静电地线的埋设点应距建
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右,封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多 采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数led的驱动电流限制在20ma左右。但是,led的光输出会随电流的增大而增加,目前,很
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且其极限尺寸只能达到45英寸。(2)高速电子打到荧光粉后会把其内部吸附的气体解吸出来,造成真空度降低。因此fed的寿命与真空保持问题紧紧地联系在了一起。这些问题同样也是sed需要解
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薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
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衬底上生产。目前只有日本几家公司能够提供氮化镓衬底,价格奇贵,一片2英寸衬底价格约1万美元,这些衬底全部由hvpe(氢化物气相外延)生产。hvpe是二十世纪六七十年代的技术,由于
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售。mocvd设备的发展趋势：研制大型化的mocvd设备。为了满足大规模生产的要求,mocvd设备更大型化。目前一次生产24片2英寸外延片的设备已经有商品出售,以后将会生产更大规模的设
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料。20世纪80年代早期开始使用外延片,它具有标准pw所不具有的某些电学特性并消除了许多在晶体生长和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。历史上,外延片是由si片制造商生产并自
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品。(4)小尺寸lcd背光源国内小尺寸(7寸以下)背光源市场约20亿元。led已在手机、mp3、mp4、dc/dv及pda等小尺寸lcd面板领域取得了成熟广泛的应用与普及。随着彩
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