站内搜索
常el显示器是单色的,对角线尺寸从3.5英寸到10.4英寸,分辨率从160 x 80 (h x v)到vga。el显示器通常采用磷产生的琥珀色。美国平达系统公司能够提供超过16种不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
及色彩表现的改善起到非常重要的作用。LED背光在lcd显示中的应用比例在近年来大幅提升,其意义不仅仅局限于色域表现的提高,甚至有可能颠覆lcd的传统结构,对于lcd产业未来的发展具
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。LED芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2沉积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2气通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
品化的设备出售。目前国内外研究氮化镓衬底是用mocvd和hvpe两台设备分开进行的。即先用mocvd生长0.1～1微米的结晶层,再用hvpe生长约300微米的氮化镓衬底层,最后将原
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光LED的基石,gan基LED外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
光效率高、体积孝重量轻、环保安全可靠等优点以外,还有一个显著优点就是由于LED启动电压和工作电压一致,所以不需使用镇流器。这样在节省成本和能耗的同时,也大大缩短了通断电的响应时间。3
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
及军用等,其中建筑景观照明是我国LED最大的应用领域。2、成熟市场(1)建筑景观照明由于LED光源具有节能环保、轻巧耐用、色彩丰富、简单易控、低压安全等一系列优点,在景观照明中具有广
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229931.html2011/7/17 23:22:00
高LED的内、外部量子效率。常规φ5mm型LED封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
