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转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

极性电气石衬底对zno纳米片生长的影响

尔谱,研究了电气石衬底的化学组成和fe离子的精细结构,zno的片状生长与极性电气石的表面电场作用相关,随着电气石中fe离子含量、价态和占位的变化,晶体沿c轴的固有电偶极矩越高,表

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

大功率白光led封装技术面临的挑战

远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定led进入普通照明领域的关键技术之一。文章对led芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍,重点论述了封装的关键技术,包括共晶焊接、倒装焊

  https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:50:45

基于红外遥控的大功率led照明系统设计

led(发光二极管)作为一种新型光源,由于具有高效节能、绿色环保、使用寿命长等诸多优点,近年来发展迅速,并成为照明领域研究的热点。本文设计了一种以at89s51单片机为核心的红

  https://www.alighting.cn/resource/20130521/125587.htm2013/5/21 11:00:32

基于led光源的积分浊度仪的系统设计

散射系数是气溶胶光学性质的重要参数之一。为了研究气溶胶光学性质,研制了一种用于测量散射系数的积分浊度仪。介绍了该仪器的工作原理、系统结构设计,对该仪器中最为重要的光学测量腔室和光

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 12:01:35

太阳能大功率led路灯的设计浅析

与蓄电池容量的匹配方法,重点分析研究了基于atmega128单片机和xlt604驱动器的太阳能照明系统中的太阳能控制器和led驱动,同时就led在芯片的功率选取、组合方式等问题上进

  https://www.alighting.cn/resource/20130507/125640.htm2013/5/7 10:21:56

大功率led封装技术与发展趋势

本文从光学、热学、电学、可靠性等方面,详细评述了大功率白光led封装的设计和研究进展,并对大功率led封装的关键技术进行了评述。提出led的封装设计应与芯片设计同时进行,并且需

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125642.htm2013/5/6 16:46:59

化合物半导体晶片和器件键合技术进展

- 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 ,针对目前的研究工作和应用做了展

  https://www.alighting.cn/resource/20130424/125679.htm2013/4/24 10:53:06

mocvd外延al_2o_3基algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

大功率集成封装led路灯透镜的光学设计

灯透镜,采用正交优化方法,利用lighttools软件对所设计的透镜光学系统进行仿真比较研究,得到了一个矩形光斑分布的光学透镜。仿真结果表明,该透镜光学系统在高度为10m的照射条件

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125684.htm2013/4/23 10:39:37

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