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led 组装静电防护最低要求

穿防静电服、鞋、腕等 (1m) 。 5. 接地 A 、防静电工作区必须有安全可靠的防静电接地装置,地电阻小于4 。防静电地线不得与电源零线相接,不得与 防雷地线共用,使用三相五

  http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258873.html2011/12/20 15:58:01

led生产工艺及封装技术

一、生产工艺 1.工艺: A) 清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b) 装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261400.html2012/1/8 20:28:07

led 组装静电防护最低要求

穿防静电服、鞋、腕等 (1m) 。 5. 接地 A 、防静电工作区必须有安全可靠的防静电接地装置,地电阻小于4 。防静电地线不得与电源零线相接,不得与 防雷地线共用,使用三相五

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1A,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led 组装静电防护最低要求

穿防静电服、鞋、腕等 (1m) 。 5. 接地 A 、防静电工作区必须有安全可靠的防静电接地装置,地电阻小于4 。防静电地线不得与电源零线相接,不得与 防雷地线共用,使用三相五

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262604.html2012/1/29 0:33:07

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1A,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1A,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

深圳一龙照明

例:1、高级品牌专卖店 相对较低的基本照度(300lux),暖色调(2500-3000k)和很好的显色性(rA90)。使用许多装饰性射灯营造戏剧性效果(Af 15-30:1),以吸

  http://blog.alighting.cn/520/archive/2012/3/17/268609.html2012/3/17 14:56:37

led芯片的技术发展状况

m),最大功率达到400 mw(驱动电流1A,435 nm,芯片尺寸1mm x 1mm),其总体发光效率比正装增加1.6倍。4)全方位反射膜  除在键合界面制备金属基反射层外,也可

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led 组装静电防护最低要求

穿防静电服、鞋、腕等 (1m) 。 5. 接地 A 、防静电工作区必须有安全可靠的防静电接地装置,地电阻小于4 。防静电地线不得与电源零线相接,不得与 防雷地线共用,使用三相五

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271706.html2012/4/10 23:23:29

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