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一方面，功率型led的封装技术也需进一步提高，从结构设计、材料技术及工艺技术等多方面入手，提高产品的封装取光效率。 二、影响取光效率的封装要素 1．散热技术 对于由pn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
分，毕竟裸晶结构的改善也能使光通量大幅提升。 首先是强化光转效率，这也是最根源之道，现有led的每瓦用电中，仅有15％20％被转化成光能，其余都被转化成热能并消散掉（废热），而提升
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的ingan，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
子大屏幕。整块大屏幕是模块化的结构，每4个16×16的点阵块为一个最小模块，每行点阵由3个同样的最小模块级联而成，共8行。大屏幕上要求连续显示5屏内容，且每屏都具有上下左右移动等动画效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
]或70ma恒定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
成gan。该方法可以在较低的温度下实现gan的生长，有可能减少n的挥发，从而降低背景电子浓度。其生长反应过程简单，可以实时表征或精确监控生长表面的结构、成分和膜厚，生长温度低，均匀
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
种形式的功率调节为新型led供电并进行监控。此外，如果led需要根据用户输入或其他外部输入闪烁或暗淡下去，它们还需要一个小型单片机来控制功率电路。首先需要做的是决定哪一种驱动器拓扑结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00
v； 电功率：pm ≥ 5 w（加散热片）； 光效≥17 lm/w； 热阻：rθ≤16℃/w（包括硅基板和铜热沉）； 3 电路结构设计 3.1 电路原理设计 电路原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜，结构密致，附着力良好之优点，因此ｍｏｃｖｄ已经成为工业界主要的镀膜技术。ｍｏｃｖｄ制程依用途不同，制程设备也有相
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
普通照明用led光源的典型结构示意图如图1-3所示。 无论是单个封装好的led还是由led串组成的led光源，它都不是物理学上最容易理解和描述的点光源或朗伯光源，它是由多个等
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