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led生产中的六种技术

除gaaS衬底,代之于全透明的gaP晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalP器件制作

http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00

led生产中的六种技术

除gaaS衬底,代之于全透明的gaP晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalP器件制作

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/10/17/293375.html2012/10/17 11:14:18

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293848.html2012/10/19 22:31:19

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/10/19/293935.html2012/10/19 22:34:58

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304540.html2012/12/17 19:38:24

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304570.html2012/12/17 19:38:49

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304586.html2012/12/17 19:38:56

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304612.html2012/12/17 19:39:10

led灯发展史

50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识发光二极管的构造图，第一个商用二极管产生于 1960 年。发光二极管的核心部分是由 P 型半导体和 n 型半导体组成的晶

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