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本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(gan)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
利光电这样的本省企业更为有利。 三安光电：技术提升为基础奠定公司龙头地位 led上游外延芯片环节依旧是技术与资本双密集的产业环节，公司通过再融资及政府补贴方式增加资本及固定资
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307933.html2013/1/16 18:07:02
装调试过程中，开工率仅略高于50%。有业内人士分析指出，预计明年led上游领域仍将面临库存压力，洗牌在所难免。 专家表示，从整个上游投资情况来看，外延片投资增速从去年的46%下降至
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307932.html2013/1/16 18:03:19
核心设备及部分原材料依赖进口、外延芯片缺乏核心专利、测试方法及设备支撑不足……一直以来，我国半导体照明产业与国际先进水平存在诸多差距。而作为led芯片生产核心设备，mocvd(金
https://www.alighting.cn/news/20130116/112827.htm2013/1/16 16:08:13
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(gan)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
级单位标准制修订工作进展较快，我国半导体照明与led标准已基本覆盖产业链的每个环节。 据权威机构统计，目前，国内涉及led与半导体照明的标准项目共193项，并已基本覆盖外延芯片、封
http://blog.alighting.cn/160574/archive/2013/1/16/307851.html2013/1/16 10:21:53
https://www.alighting.cn/news/2013115/n802148154.htm2013/1/15 17:23:39
获悉，惠州拟出台《关于加快惠州led产业发展的意见》，提出在仲恺高新区建设led光电产业园。led产业光电产业园区拟设在东江高新科技区内，主要引进外延片、芯片、led背光源、封装
https://www.alighting.cn/news/20130115/99032.htm2013/1/15 13:18:00
要集中在 can基led外延材料与芯片、高效高亮度大功率led器件、led功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及mocvd(金属有机物化学气相沉积设备)等重大装备开
http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/1/14/307625.html2013/1/14 11:34:38
