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ims research最新一季氮化镓led供求报告结果显示2011年GaN led封装收入比去年减少6%,预计GaN led市场在2012年至2015年期间会逐步回暖,并且由
https://www.alighting.cn/news/20120201/89666.htm2012/2/1 11:27:54
GaN led市场中,照明的份额预计会从2011年的21%升为2016年的49%;照明led收入预计增长超过300%。
https://www.alighting.cn/news/201221/n074637204.htm2012/2/1 9:55:47
们没有掌握核心技术,尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺,会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263233.html2012/1/29 23:41:14
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263030.html2012/1/29 23:30:41
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262791.html2012/1/29 0:45:32
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源,持续稳定支持基础研发,突破未来的白光普通照明核心技术,建立长效机制与创新的环境与氛围,在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究,实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
响,此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度,导致了白光颜色的不均匀。 2.片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
、采用更大尺寸晶圆制作工艺,也在不断的降低成本,近年来每年在以20%速度降低中,如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%,led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262766.html2012/1/29 0:43:43