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一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
https://www.alighting.cn/news/20141203/108303.htm2014/12/3 10:05:18
天龙光电今日在深交所互动易上表示，天龙光电新开发的客户目前处于半停产半研究状态，公司订单锐减，led行业目前处于低潮期。
https://www.alighting.cn/news/20121108/112953.htm2012/11/8 15:34:29
在中国led厂商增产同时，还有欧洲led厂也看好固态照明市场，英国led厂商plessey也备好银弹，准备扩展英国国内位于普利茅斯的led产线。
https://www.alighting.cn/news/20151008/133053.htm2015/10/8 9:20:07
2016年全国两会正在持续进行中，来自各地的代表委员共话改革发展，共商国家大事，凝聚成决胜全面小康的磅礴力量。led作为国家重点扶持的新型产业，自然也成为两会议论的热点。今年的两会
https://www.alighting.cn/news/20160316/138030.htm2016/3/16 10:07:56
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/ 瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。9
http://blog.alighting.cn/ledwgzm/archive/2010/5/11/43817.html2010/5/11 15:32:00
断研发产生了好几代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦，发出的光强度很少有超过15毫堪(millicande
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179868.html2011/5/20 0:30:00
代亮度越来越高的器件。在1990年左右推出的基于碳化硅(SiC)裸片材料的led效率大约是0.04流明/瓦,发出的光强度很少有超过15毫堪(millicandel)的。90年代中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
石al2o3和碳化硅SiC衬底。表2-4对五种用于氮化镓生长的衬底材料性能的优劣进行了定性比
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
