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在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
些led灯具实际可靠性结构和微观物理机制已经发生变化，但是光通量和色坐标并没有明显变化，如果配以其他可靠性指标的测试可以提高可靠性检测结果的可信
https://www.alighting.cn/2013/11/5 10:21:04
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(mocvd)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
后,基质的晶格结构未发生变化;稀土eu3+掺杂摩尔分数为6%,煅烧时间为3 h时最佳;作为电荷补偿剂的na+的引入,较大地提高了荧光粉发光强度。该荧光粉可被394 nm近紫外光激
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:33:42
量分布,并预先定义透镜球面的结构参量,可得到一组一阶偏微分方程,数值差分求解直接求得透镜的自由曲面.光源采用发光面积1×1mm2朗伯体发光的led,视角180°,由自由曲面透镜得
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:32:59
e structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似ts芯片的gap衬底。2：芯片四面发光﹐具有出色的pattern图。3：亮度方面﹐其整体亮度已超过ts芯片的水平(8.6mil)。4：双电极结
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34474.html2010/2/27 14:03:00
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
能可靠：每条电加热带出厂时，无经过严格的直流电阻、浸水高压和绝缘电阻等测试，确保质量。 结构合理，便于安装。 可设计性强：电加热带的加热长度、引线长度、额定电压、功率由用户确
http://blog.alighting.cn/farepian/archive/2010/4/7/39577.html2010/4/7 20:32:00
vdf01型防爆强光泛光灯 产品特点： 1、 壳体采用优质铸铝模压成型，优质钢化玻璃灯罩，灯体可俯仰45°； 2、 灯体采用密封结构，具有较高的防水性能和防腐性能；
http://blog.alighting.cn/whvonno05/archive/2010/4/20/40875.html2010/4/20 13:44:00
品特点： 1、结构紧凑，外形美观； 2、配高纯铝反射罩； 3、灯罩口部分为敞开式； 4、安装简单（可采用管吊、钩吊或吸吊等不同安装方式），拆卸方便，适用范围广。
http://blog.alighting.cn/whvonno05/archive/2010/4/20/40882.html2010/4/20 14:15:00
