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片双ldo ic，而是采用集成度更高的ic，例如analogictech公司的 aat2842完整显示解决方案。该方案将上述所有三种功能全部集成在一个4 x 4mm封装的单芯片
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134168.html2011/2/20 23:16:00
为hzk16，专门存放汉字字库编码。要提取字库，首先要对它进行初始化，即打开字库。然后根据一个字符提取它相应的编码。首先取出字符的内码后（注意区分单字节和双字节的内码），接着通过内
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134161.html2011/2/20 23:13:00
制，特用另一口线pb11作其复位控制。oled的片选信号user1_cs由at91rm9200的ncs4与地址线a25、a23、a22经38译码器译码产生。经计算可得其物理地址为0
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
8个数据位，1个地址／数据标示位，1个停止位共11位。数据传输码率为625 kb／s，字节传输速率为56.8 kb／s。每个子模块由256个led构成，实现16阶灰度每个led需要
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134156.html2011/2/20 23:10:00
化处理前， p-gan 表面的均方根粗糙度为 11.8nm 。而经过粗化处理的 p-gan 表面的均方根粗糙度达到了 71.6nm 。而经过粗化处理的 undoped-gan 表
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vd为整流二极管d1的正向压降。 将已知数值代入上式得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
子而辐射发光的“双注入式”器件。由于有机材料的电子亲和势比金属和无机材料的电子亲和势小得多，要想有效地往有机材料中注入电子，阴极材料的功函数必须足够低。最近的研究表明，用低功函数金
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
1ma。图2为其典型电路，输出电压为+10v，满足vgg12864e-s001模块+9v～+11v的驱动电压输入要求。 3.2 接口电路 直接访问方式就是将模块的接口作为存储器
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134141.html2011/2/20 23:04:00
址、写使能和写时钟。由于每屏点阵数为192×128，16位数据并行传输所需的地址线为11根。但由于设计需要，系统中还专门设置了1根额外的地址线，用于对fpga的双口ram进行读写分
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
基led中也存在金属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹
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