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GaN是优越的iii-v族直接带隙半导体材料，是iii-v族家族中最引人注目的半导体材料之一，其在光电领域有着极为重要的应用，已经引起了广泛的研究。GaNg基光电子器件的制备和工
https://www.alighting.cn/2013/2/1 10:26:05
”上，田村制作所及其子公司光波公司展出了其开发的使用氧化镓β-ga2o3的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同点在
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309146.html2013/1/31 11:07:30
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/31/309147.html2013/1/31 11:07:30
硅(si)、碳化硅(sic)以外，氧化锌(zno)和氮化镓(GaN)等也是当前研究的焦点。无论是重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些简单辅助照明的小功率芯片，技
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2013/1/31/309123.html2013/1/31 10:29:56
研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
人类视觉存在对非连续光谱不适应的问题。led照明灯具中红外线对消除视觉细胞产生的自由基、缓解视觉疲劳起着至关重要的作用，而目前大多数白光led的光谱中几乎没有红外线。另外还有一
http://blog.alighting.cn/liuduspace/archive/2013/1/28/308852.html2013/1/28 17:31:53
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
大功率点和浮充两种方式对蓄电池进行充电，并对蓄电池进行管理，以防止过充和过放，led路灯恒流输出，系统已经正常工作了2个月。虽然防反充二极管选用的是肖特基二极管，但是，损耗还是比较
https://www.alighting.cn/2013/1/24 15:38:23
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
