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上 100,000 寿命长、低发热 亮度稍低线状光源 ccfl(冷阴极荧光管) 红、绿、蓝及其混合色 1.0~10.0 25,000 亮度高、寿命长逆变器驱动电压高hcfl(热阴极荧
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果是导致灯具体积和重量加大,给矿工的携带和工作带来不便,因此目前矿灯使用的白炽灯泡是一个制约矿灯的改进和发展的关键因素。由于大功率白光led具有体积孝发光效率高、耗电量孝使用寿命
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n junction)上,p-n接面是led主要的发光发热位置,透过p-n接面的结构设计改变可提升转化效率。▲量子井(quantum well；qw)的结构图。(郭长佑制图)关于
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小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
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用的是垂直配向技术,特性是在常态下分子长轴垂直于面板方向平行排列。cpa技术作为夏普液晶电视所主要采用的液晶显示屏技术,cpa技术的特点是cpa每个像素都具有多个方形圆角的次像素电
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发光二极管led (light emitting diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
.6ev(inn)到6.2ev(aln)的连续可调直接带隙,这样利用单一体系的材料就可以制备覆盖从近红外到深紫外光谱范围的光电组件。因此,inn有望成为长波长半导体光电器件、全彩显
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柱,以下将对所有晶柱长成制程做介绍：长晶主要程式：1、融化(meltdown)此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上,此阶段中最重要的参数为坩
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g或掺zn生长n型与p型薄膜材料。对于ingaalp薄膜材料生长,所选用的iii族元素流量通常为(1-5)×10-5克分子,v族元素的流量为(1-2)×10-3克分子。为获得合适的
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用光刻和刻蚀技术,形成gan视窗和掩膜层条。在随后的生长过程中,外延片gan首先在gan视窗上生长,然后再横向生长于sio条 上。4.悬空外延片技术(pendeo-epitaxy)采
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