检索首页
阿拉丁已为您找到约 12632条相关结果 (用时 0.2307475 秒)

lED路灯大规模商用需解决技术成本标准三大难题

高还需要从大功率白光lED的外延技术、芯片工艺等基础层次进一步提升。在二次光学设计方面,lED的辐射形式有朗伯型、侧射型、蝙蝠翼型和聚光型几种。在道路照明领域,根据设计经验朗伯型和蝙

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230109.html2011/7/18 23:50:00

lED测试标准 lED测试方法

电性能的重要因素。现有的对lED结温的测试一般有两种方法:一种是采用红外测温显微镜或微型热偶测得lED芯片表面的温度并视其为lED的结温,但是准确度不够;另外一种是利用确定电流

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230107.html2011/7/18 23:49:00

lED芯片/器件封装缺陷的非接触检测技术

装企业都是通过在封装前的镜检与封装后的分检来保证lED封装质量。封装前的镜检即在封装前对用显微镜对原材料芯片进行人工外观检查,观察芯片材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑、芯片尺寸及电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00

lED产品质量检测标准

“measurement of lEDs”的方法,同时结合照明用功率型白光lED的发展需求,增加了显色特性、结温等参数的测量方法,为照明lED产品的发展提供了极为重要的依据。近几年来,多芯片或多管组

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00

lED品质测试

. 反向漏电流测试:反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值,生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起lED反向漏电流过高,这会给lED应用产品埋下极大的隐患,在使用一段时间后很容易造

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230095.html2011/7/18 23:42:00

lED的封装技术比较

1)lED芯片封装lED在过去的30多年里,取得飞速发展。第一批产品出现在1968年,工作电流20ma的lED的光通量只有千分之几流明,相应的发光效率为0.1 lm/w,而且只

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00

lED防爆灯介绍

关,其特征在于:发光体为大功率lED模组,在发光体与电池之间设有宽电压输入驱动电路;宽电压输入驱动电路包括恒流芯片,恒流芯片与电池组成电源模组,lED模组连接在恒流芯片上,电源模组

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230088.html2011/7/18 23:27:00

三种lED衬底材料的比较

对于制作lED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和lED器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底:?;蓝宝石(al2o

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

无线遥控lED时钟屏的制作实例

图遥控发射器由6个按键、f06a无线发射芯片、4个隔离二极管等元件组成。如图1所示。2 lED时钟屏控制系统控制系统由j06a遥控接收模块、单片机at89s52、实时时钟芯片d

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230086.html2011/7/18 23:26:00

lED光电性能测试的主要方面

能的重要因素。现有的对lED结温的测试一般有两种方法:一种是采用红外测温显微镜或微型热偶测得lED芯片表面的温度并视其为lED的结温,但是准确度不够;另外一种是利用确定电流下的正向偏压

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230087.html2011/7/18 23:26:00

首页 上一页 695 696 697 698 699 700 701 702 下一页