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新推出的，具有点校正、高灰度等级(pwm控制)等特点。 tlc5941所有内部数据寄存器，灰度寄存器，点校正寄存器和错误状态信息都通过串行接口存取，最大串行时钟频率30 mhz，片
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
构的改进，红光的发光效率在不断的提高，不到十年已从10lm/w提高到30lm/w, 目前国际市场大量销售的结构是用si衬底取代gaas衬底带有金属反射器的结构,流明效率一般为20－3
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
观呈褐色，但与led接触的部分可能发生了变化。进一步研究发现，环境温度为95℃，驱动电流大于等于40ma时，结温超过了145℃，非常接近塑料变色的温度；当驱动电流小于30ma时，结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
将配好的萤光粉手动搅拌20分钟至30分钟不等，直到萤光粉分佈均匀为止。 6、把配好的萤光胶抽真空至看不见气泡的状态，取出后，放在室温下用干净的玻璃盖上使用，使用前需按同一方向缓
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120543.html2010/12/13 23:02:00
括针头接触pcb之前和期间的延时时间)。池槽温度应该在25~30°c之间，它控制胶的粘性和胶点的数量与形式。 范本印刷被广泛用于锡膏，也可用与分配胶剂。虽然目前少于2%的sm
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120532.html2010/12/13 22:58:00
则相对降低20~30%,换句话说白光led的亮度如果要比传统led大数倍，消费电力特性希望超越萤光灯的话，就必需先克服下列的四大课题，包括，抑制温升、确保使用寿命、改善发光效率，以
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
形下，常因无法迅速传热至散热器导致led受损。 冶炭纳米公司自行实验显示，与一般传统导热胶比较，冶炭纳米导热胶在30秒内的导热效能高于传统导热胶40％以上，这对于发展10瓦以上
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120524.html2010/12/13 22:54:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难，当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
