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采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
迈图的tia热熔胶、粘合剂及散热膏可在led显示板和散热片之间形成一条散热通道，从而有助于在散热过程中保护led。tia产品均为液态形式，方便将精确数量的材料准确地涂抹于具体位置，
https://www.alighting.cn/resource/20101102/128352.htm2010/11/2 0:00:00
现有led 补光系统在环境适宜性监测、光源控制和植物不同阶段需光量差异性考虑不足，造成红蓝光补光不足和补光过度并存。针对以上问题提出了一种设施农业智能补光系统，支持定义植物不同生长
https://www.alighting.cn/resource/20120310/126685.htm2012/3/10 15:31:41
一种双向二极硅流管和一种纳灯电子触发器。双向二极闸流管是用硅单晶片制成的ｎｐｎｐｎ五层结构的二极管，用于交流电路中因无控制极可简化电路
https://www.alighting.cn/resource/200728/V8829.htm2007/2/8 14:30:03
本演讲稿阐述了led灯具的驱动原理，对低压驱动芯片的需求，常见led驱动ic及其选用的考虑因素，与基于华润矽威pt4115、pt4107、pt4117的方案特性和市场考虑，以及驱
https://www.alighting.cn/resource/2008113/V644.htm2008/11/3 10:34:24
在si衬底上生长了gan基led外延材料，分别转移到新的硅基板和铜基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。
https://www.alighting.cn/2015/3/3 10:32:36
韩国三星电子（samsung electronics）开发出了使用单晶硅tft的2.4英寸qvga主动矩阵型有机el面板，并在“sid 2007”上发表了制造技术的详细情况。提
https://www.alighting.cn/resource/20070529/128502.htm2007/5/29 0:00:00
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
基板的选择中，氧化铝(al2o3)及硅(si)都是目前市面上已在应用的材料，其中氧化铝基板因是绝缘体，必须有传导热设计，藉由电镀增厚铜层达75um;而硅是优良导热体，但绝缘性不
https://www.alighting.cn/resource/20131126/125080.htm2013/11/26 15:44:16
