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近年来，世界上多个国家制定政策以分阶段淘汰白炽灯泡。如中国计划于2015年60w 以上普通照明用白炽灯泡全部淘汰。荧光灯及紧凑型荧光灯(cfl)的能效比白炽灯高，但含剧毒物质汞，存
https://www.alighting.cn/2013/8/1 11:27:45
采用真空热蒸镀技术,在不同的掺杂浓度下,制备了4种双异质型结构的蓝色有机电致发光器件(oled),其结构为ito/cupc(30 nm)/npb(40 nm)/tpbi(30 n
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
8 mv的基准电压电路的设计过程和仿真结果,设计了一种基于双极型、互补型、双扩散金属氧化物半导体(bcd)1.6μm工艺的功率led照明驱动芯片以验证低反馈电阻技术.系统仿真结果表明
https://www.alighting.cn/resource/20130510/125619.htm2013/5/10 10:28:08
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
样，高亮度led也未能摆脱众多家庭和应用中常见的三端双向可控硅(triac) 调光器。本文将介绍一种具成本优势的高亮度led (hb led) 调光方
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125646.htm2013/5/6 15:13:18
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
线。找好灯头盒螺孔的位置，在灯箱的底板上用电钻打好孔，用机螺丝拧牢固，在灯箱的另一端应使用胀管螺栓加以固
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/19/142239_12.htm2013/4/19 14:22:39
本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——杭州钱江隧道led隧道灯照明工程。杭州钱江隧道为水底城市快速公路隧道(南北走向)，双峒双向六车道，每峒各三车道，隧道设计行车速度8
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/18/161635_34.htm2013/4/18 16:16:35
一份来源于新世纪led有奖征稿活动的关于介绍《iec关于双端led灯管的最新提议34a-1501-np》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/17 10:50:09
