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MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源
https://www.alighting.cn/2012/9/12 18:03:34
目前，对led封装有机硅材料相关产品的科研发工作开展较少，已有的国产有机硅封装材料存在一些缺陷：折射率低、耐热性差、耐紫外光辐射性不强、产品粘接力不够、透光率不高等这些缺陷直接影
https://www.alighting.cn/resource/20120728/126487.htm2012/7/28 18:34:44
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/19/163617_01.htm2012/6/19 16:36:17
在MOCVD 反应器中外延异质结构的材料时，用来生长晶体的各组份和掺杂剂，都是以气态方式进入反应器的;该系统通过周期性地切换各种反应气体控制其流入量，在衬底上外延出特定组份、特
https://www.alighting.cn/2012/4/9 17:29:55
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用MOCVD材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
为过去两年所新增的产能必须先消化，MOCVD供应商则必须等到2012年年底才能走出低
https://www.alighting.cn/2012/2/1 10:24:33
最新调研调查了各led 企业截至2012 年第四季度的MOCVD 采购计划，下调了2011 机台数至870 台，如图1 所示，降低了20%，led 厂商推后2011 年计划好的安
https://www.alighting.cn/2011/12/5 12:23:13
采用常压MOCVD方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
利用MOCVD系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
性和可靠性。采用eib总线产品和国产调光器结合的方案，能最大限度保证业主投资收益的最大
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/13/14814_10.htm2011/10/13 14:08:14
