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3)?;硅 (si)碳化硅(sic)[/url]蓝宝石衬底通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00
状和gan基器件的进展情况。关键词：gan；si衬底；外延生长中图分类号：tn316 文献标识码：a 文章编号：1003-353x(2006)02-0098-041 引言gan作为新
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
片的同一侧，电流在n-和p-类型限制层中横向流动不等的距离。垂直结构的led芯片的两个电极分别在led外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p-类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
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3） ·硅 (si) 碳化硅（sic）[/url] 蓝宝石衬底 通常，gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
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