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led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前，它是许多led芯片和封装
https://www.alighting.cn/resource/20131122/125097.htm2013/11/22 14:15:02
目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台，更已在gan on gan技术上深耕多年，从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术，技术面皆已突破现今gan on sapp
https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22
一份介绍mocvd设备的技术资料，现在分享给大家。
https://www.alighting.cn/2013/10/30 14:41:44
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
一份关于介绍《led芯片知识大了解》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131008/125265.htm2013/10/8 11:19:19
报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型gan欧姆接触。首先在掺硅的n型gan(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3min,最
https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54
《led芯片制作》分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28
本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术，并重点介绍了gt公司如何运用oht技术，确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越led级别的材料质量要求。
https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38
