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使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
采用脉冲激光沉积(pld)技术,在si(100)衬底上制备出高度c轴取向的zno薄膜。通过x射线衍射(xrd)谱,扫描电镜(sem)和室温光致发光(pl)光谱的测量,研究了生长气
https://www.alighting.cn/2013/5/7 11:24:11
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
基本的恒流源电路，这里依据主要组成器件的不同，可分为三类：晶体管恒流源、场效应管恒流源、集成运放恒流源等。
https://www.alighting.cn/resource/20141202/123989.htm2014/12/2 9:43:28
应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上gan的晶体特性和光学性能，并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。
https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30
现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
本文采用单晶荧光材料取代荧光粉来制备白光led,并对白光led用新型yag单晶荧光材料的制备和光谱性能进行了研究.采用提拉法生长了白光led用ce∶yag及pr,ce∶yag晶
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127263.htm2011/8/23 13:33:10
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
