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si基外延gan中缺陷的腐蚀研究

本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降

  https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08

大尺寸tft-lcd的led背光技术

传统的薄膜晶体管液晶显示器通常采用冷阴极荧光灯作为背光光源。相比较而言, 由于发光二极管tft- lcd 背光源系统具有色彩还原性好、对比度高、亮度高等优点, 近年来应用于大尺

  https://www.alighting.cn/2013/1/14 13:52:12

led开关电源的几种常见保护电路设计

一款好的led开关电源除了需要稳定、高效、可靠外,电路的各种保护措施也必须精心设计,避免在复杂环境条件下能够迅速的对开关电源电路和负载进行有效保护,本文介绍led开关电源的几种常见

  https://www.alighting.cn/resource/20130111/126181.htm2013/1/11 11:27:23

提高应变弛豫与非极化/半极化gan技术

应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上gan的晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

提高led外量子效率

片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影

  https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05

led芯片技术的发展

、全角反射镜(odr)、外延片键合、激光剥离技术(llo)、倒装技术(flip chip)、光子晶体技术(phonic crystal)、ac led技术等,最后谈论了led芯片技

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22

提高led外量子效率的研究进展

光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

高压高效率白光led驱动电路的研究与设计

本文设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光led驱动芯片。采用单片集成双极晶体管、cmos和dmos器件的高压工艺,以脉宽调制峰值电流的控制方式,实现宽范围的电压输入

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/5/153915_53.htm2012/11/5 15:39:15

以ccr驱动led串的散热注意事项

在总体系统散热设计中必须顾及在固态照明应用中控制电流的恒流稳流器(ccr),以确保可靠性以及一致的性能。

  https://www.alighting.cn/2012/9/25 10:08:28

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

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