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采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
与sic和GaN相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
本文就“GaN材料的特性与应用,GaN是什么?”做了简要的分析概述,以飨读者;
https://www.alighting.cn/resource/20101210/128138.htm2010/12/10 13:45:00
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
2007年10月5日,aixtron ag和crystalq bv已呈献一6英寸(150mm)c面蓝宝石上GaN晶片的最初测试结果。目前的晶片测试报告显示出6英寸晶片卓越的颜色及
https://www.alighting.cn/resource/20071011/128540.htm2007/10/11 0:00:00
简述了led的发展历史,讨论了国际上最新研究出的GaN基led的结构和工作原理,以及为改善GaN基led性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对led的老化机
https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14
aixtron正在通过推出垂直hvpe工具加速自支撑GaN的商业化,该工具以悬挂的种晶架为特征,并能产直径为2英寸的梨形人造晶体。
https://www.alighting.cn/resource/20071016/128543.htm2007/10/16 0:00:00
根据richard stevenson的报道,目前只有少数公司生产GaN衬底,价格昂贵,很难批量生产。
https://www.alighting.cn/resource/20040714/128409.htm2004/7/14 0:00:00