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罗姆株式会开发出实现业界最小※正向电压(vf=1.35v)的第二代sic(silicon carbide：碳化硅)肖特基势垒二极管“scs210ag/am”(600v/10
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122390.htm2012/6/14 10:25:31
晶能光电此次共推出包含28 *28、35*35、45*45和55 *55在内的四款硅基大功率芯片，发光效率已超过120lm/w。
https://www.alighting.cn/pingce/20120614/122391.htm2012/6/14 10:06:35
近日，kyma科技公司宣布生产出直径为10英寸的蓝宝石氮化铝(aln-on-sapphire)基板。该蓝宝石氮化铝基板使用了专利pvdnc技术，可以提高蓝光、绿光和白光led的产
https://www.alighting.cn/pingce/20120606/122345.htm2012/6/6 9:53:50
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(gan o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
议短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化镓led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16
v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
弗朗霍夫应用固体物理研究所则为该装置提供了氮化镓微型led，该微型led面积仅有0.01平方毫米厚度仅有几微米。未来其面临的一项共同挑战是如何将聚合物工程材料和氮化镓led进行集
https://www.alighting.cn/pingce/20120428/122288.htm2012/4/28 9:45:30
德国欧司朗(osram)公司日前成功地将氮化镓发光材料层置于直径为150毫米的矽晶圆基板上，制造出高性能蓝白光发光二极管(led)原型矽芯片。这是世界上首次利用矽晶圆基板取代蓝宝
https://www.alighting.cn/pingce/20120223/122645.htm2012/2/23 11:02:48
