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采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长gan薄膜.利用gan薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127402.htm2011/7/22 14:38:53
粉性能对白光LED的显色指数及色温的影响极其显著。本方法着重介绍和评述了白光LED用红色荧光粉硫化物、氮化物、钼酸盐和钨酸盐等几大主要体系的发光性质及最新研究成果和发展现状,并对白
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125824.htm2013/3/25 11:34:41
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
将硅衬底上外延生长的氮化镓基LED 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光LED 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
目前市场上LED用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的LED市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在gan基LED中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵向分
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
