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本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
本文介绍了一简易流水灯的软硬件设计过程，重点给出了其软件编程的思想方法，以期给单片机学习者以启发。
https://www.alighting.cn/resource/2008222/V14104.htm2008/2/22 13:33:11
当高科超薄晶体霓虹发光片的两极间通电后，发光层内就建立了电场，电子在电场的作用下逆电场方向加速运动，当电场强度足够强，运动状态电子数量足够多，速度足够快时，通过碰撞，发光材料电
https://www.alighting.cn/resource/200759/V12521.htm2007/5/9 17:19:58
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan2led外
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
采用高分辨x 射线衍射仪(hrxrd)和扫描电子显微镜(sem)对外延生长所得gan 薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123530.htm2015/3/5 10:13:17
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
当前，全世界都在大力提倡环境保护，电子镇流器间接地为环保提供了原动力。avr单片机是一款性价比较高的单片机，用这种单片机来对电子镇流器进行调光和时间采样非常合适，首先是avr单片
https://www.alighting.cn/2014/12/18 11:26:48
为改善gan 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
通过低压金属有机化学气相外延 (lp movpe)工艺生长了algainas应变补偿量子阱材料,通过x射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降
https://www.alighting.cn/2011/10/8 12:00:18
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
