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ganLED研究的最新进展

简述了LED的发展历史,讨论了国际上最新研究出的ganLED的结构和工作原理,以及为改善ganLED性能而采取的一些手段,同时也对这些方法的优缺点进行了分析,对LED的老化机

  https://www.alighting.cn/resource/20130307/125939.htm2013/3/7 11:21:14

全球首个氮化镓单片集成fhd micro LED显示器问世

5月14日,plessey宣布与背板合作伙伴jasper display corp(jdc)在研发单片集成micro LED显示器过程中迈出了重要一步。

  https://www.alighting.cn/news/20190517/161929.htm2019/5/17 10:38:50

衬底LED缘何能获“国家科学技术发明一等奖”?

尘埃落定,2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓,“衬底高光效gan蓝色发光二极管”项目(简称衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑,衬底LED技术终于迈向了新征程,

  https://www.alighting.cn/news/20160108/136208.htm2016/1/8 12:04:02

芯片大小和电极位置对ganLED特性的影响

用同种ganLED外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganLED芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

日本多晶龙头tokuyama进军LED晶圆市场

据日经产业新闻30日报导,日本多晶制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于LED板的大尺寸单晶晶圆,将正式进军LED用大尺寸晶圆市场。报导指出,tokuyama所研

  https://www.alighting.cn/news/20111201/114055.htm2011/12/1 11:18:52

不同板1 w衬底蓝光LED老化性能研究

衬底上外延生长的氮化镓LED 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑板、铜铬支撑板以及通过压焊的方法转移到新的支撑板,获得了垂直结构蓝光LED 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

晶能光电孙钱:氮化镓大功率LED的研发及产业化

在“2013新世纪LED高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司LED研发副总裁孙钱博士就“氮化镓大功率LED的研发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59

科锐推出新型1200v z-rec? 碳化肖特二极管系列

碳化 (sic) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化 (sic) 肖特二极

  https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32

转移板材质对si衬底ganLED芯片性能的影响

在si衬底上生长了ganLED外延材料,分别转移到新的板和铜板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种板ganLED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

当然gan与si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很容易出现龟裂现象,要在衬底上生长高质量的氮化镓LED确实是一个严峻的挑战。在这方面处于世界前列的晶能光电认为,

  https://www.alighting.cn/news/20111117/90028.htm2011/11/17 10:11:23

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